红外微光显微镜

1. 设备全景图片

2.设备概况

品牌：Advanced/中国

型号：P-100I

类型：红外微光显微镜

用途：主要用于半导体元器件失效分析试验，可以探测半导体器件中多种缺陷和机理引起的退化和失效，主要包括结漏电、接触尖峰、氧化缺陷、栅针孔、静电放电损伤等。

 3. 设备功能简述

红外微光显微镜是对已经失效的器件进行失效定位分析的检测设备，在失效分析中主要用于探测半导体器件中多种缺陷和机理引起的退化和失效，可以探测的缺陷和损伤类型有漏电结、接触尖峰、氧化缺陷、栅针孔、静电放电损伤、栅锁效应、热载流子、饱和态晶体管以及开关态晶体管等。

部分元器件在失效过程中不一定会产生热量露点或被隐藏在内部，导致常用的失效检测设备无法捕捉。但在此过程中失效点一定会溢出一定量微弱的光子，红外微光显微镜能够对光子进行捕捉，更准确的判断失效点位置。

4. 设备的技术特点

4.1侦测波长范围宽：侦测波长范围优于900nm至1700nm，能够适用于多数不同类型失效案例。

4.2软件功能多样灵活：设备具备图像拼接功能，对大面积芯片可以通过无缝拼接实现全局检测；同时具备鼠标点控影像中心功能，准确移动关注点至视场中心。

4.3应用便捷：设备配置八英寸探针台及高精度源表，外置手动操作台及软件控制台，操作简单，使用灵活。

5. 设备的技术参数

5.1 尺寸及重量：设备投影尺寸1100mm×2500mm，高度2100㎜，总质量约300kg。

5.2整机参数：

探测器类型：InGaAs探测器，可降温到-65℃，采用半导体制冷方式；

探测器有效波长范围： 900nm ~ 1700nm；

探测器有效像素：480×320；

探测器像素尺寸：40μm×40μm；

6. 设备的技术优势

设备配置了InGaAs探测器，具有较宽的探测波长范围及较高的探测效率，具备快速、简单有效的特点，尤其在失效定位方面具有准确、直观和重复再现的优点，不必需要专门制样或者对样品进行剥离便可实现对失效部位的定位，同时可以方便地施加各种静态或动态的电应力。

7. 设备的应用行业

半导体元器件失效分析。